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Bis (dimetilamino) metilsilano (no CAS 22705-33-5)
Presupuesto
Resaltar:
Amino silanos de alta pureza
,Síntesis de polímero bis ((dimetilamino) metilsilano
,22705-33-5 cas
Product Name:
Bis(dimetilamino)metilsilano
Appearance:
Líquido transparente
MF:
C5H16N2Si
MW:
132,28
M.P:
<0°C
B.P.:
112 °C
Density:
0,798 g/mL a 20 °C(lit.)
Flash point:
-3ºC
Atributos clave
Nombre de la marca:
SISO
Número de modelo:
22705-33-5
Lugar de origen:
Porcelana
Condiciones de pago:
T/T
Descripción de producto
1Reactivo de derivación de sililación de alta eficiencia
Este producto es un aminosilano bifuncional de alta actividad que contiene dos grupos activos dimetilamino.grupos carboxilo y amino en condiciones suavesSe utiliza ampliamente en el pretratamiento de muestras para el análisis cromatográfico y la modificación estructural de productos químicos orgánicos finos.
2Precursor para la síntesis de polímeros de silicona de alta pureza
Sirve como precursor de alta pureza para la síntesis de resinas funcionales de silicona y polímeros de polisiloxano.Los aminogrupos reactivos duales permiten reacciones de hidrólisis y policondensación controlables, que regula eficazmente el peso molecular del polímero y la estructura de enlace cruzado, y prepara materiales de polímero de silicona de alta uniformidad y bajo defecto.
3. Conexión de interfaz y modificador de compatibilidad
Con sitios funcionales reactivos duales, puede construir enlaces de puente químicos estables entre matrices de polímeros orgánicos y sustratos inorgánicos como sílice, fibra de vidrio y rellenos de óxido metálico.Mejora significativamente la fuerza de unión de la interfaz y la compatibilidad de fase, reduce los huecos y defectos de la interfaz y mejora las propiedades mecánicas generales y la resistencia a las intemperie de los materiales compuestos.
4- Pasivación de la superficie del semiconductor y protección ultra limpia
Con un residuo de iones metálicos muy bajo, alta actividad de reacción y un rendimiento de formación de película uniforme,es adecuado para el tratamiento de pasivación superficial de obleas de semiconductores y dispositivos electrónicos de precisiónPuede formar una capa de aislamiento hidrofóbico compacto e inerte en las superficies del material, aislando eficazmente la humedad, el oxígeno y las microimpurezas.y mejorar la estabilidad y la vida útil de los componentes electrónicos.
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