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Qualität Bis ((Dimethylamino) Methylsilane (CAS-Nr. 22705-33-5) Fabrik
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Qualität Bis ((Dimethylamino) Methylsilane (CAS-Nr. 22705-33-5) Fabrik
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Bis ((Dimethylamino) Methylsilane (CAS-Nr. 22705-33-5)

Spezifikationen
Hervorheben:

Hochreine Aminosilane

,

Polymersynthese Bis(dimethylamino)methylsilan

,

22705-33-5 cas
Product Name:
Bis(Dimethylamino)methylsilan
Appearance:
Klarflüssigkeit
MF:
C5H16N2Si
MW:
132,28
M.P:
<0°C
B.P.:
112 °C
Density:
0,798 g/ml bei 20 °C (lit.)
Flash point:
-3°C
Umbauten:

Ethyltrimethoxysilan

Methylsilan

Silan
Wesentliche Eigenschaften
Markenname: SISO
Modellnummer: 22705-33-5
Herkunftsort: China
Zahlungsbedingungen: T/T
Produkt-Beschreibung

1. Hocheffizientes Silylierungs-Derivatisierungsreagens

Dieses Produkt ist ein hochaktives bifunktionelles Aminosilan, das zwei Dimethylamino-Aktivgruppen enthält.Carboxyl- und Aminosamen unter milden BedingungenEs wird häufig bei der Vorbehandlung von Proben für die chromatographische Analyse und die Strukturänderung von feinen organischen Chemikalien eingesetzt.

2Vorläufer für die Synthese hochreiner Silikon-Polymere

Es dient als hochreiner Vorläufer für die Synthese von funktionalen Silikonharzen und Polysiloxanpolymeren.Die doppelreaktiven Aminosysteme ermöglichen kontrollierbare Hydrolyse- und Polykondensationsreaktionen, die das Molekülgewicht und die Verflechtungsstruktur des Polymers wirksam regulieren und hoch einheitliche, defektefreie Silikonpolymermaterialien herstellen.

3. Schnittstellenkopplung und Kompatibilitätsmodifikator

Mit doppelten reaktiven Funktionsstellen kann es stabile chemische Brückenbindungen zwischen organischen Polymermatrizen und anorganischen Substraten wie Kieselsäure, Glasfasern und Metalloxidfüllstoffen aufbauen.Es verbessert die Bindungskraft der Oberfläche und die Phasenverträglichkeit erheblich, verringert Schnittstellenlücken und -fehler und verbessert die allgemeinen mechanischen Eigenschaften und Wetterbeständigkeit von Verbundwerkstoffen.

4. Halbleiter-Oberflächenpassivierung und ultra-sauberer Schutz

mit einem sehr geringen Rückstand an Metallionen, hoher Reaktionsaktivität und gleichmäßiger Filmbildung,für die Oberflächenpassivation von Halbleiterwafern und Präzisionselektronischen GerätenEs kann eine kompakte und inerte wasserfeindliche Isolationsschicht auf Materialoberflächen bilden, wodurch Feuchtigkeit, Sauerstoff und Mikro-Verunreinigungen wirksam isoliert werden.und Verbesserung der Stabilität und Lebensdauer elektronischer Komponenten.
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